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模拟技术

电子发烧友网为用户提供了专业的模拟技术文章和模拟电子技术应用资料等;是值得收藏和分享的模拟技术与电子技术栏目。

开关管的工作原理 开关管怎么检测好坏

开关管是一种能够在导通和截止状态之间快速切换的半导体器件,通常用于电源开关、半桥/全桥驱动电路、PWM调制等电子产品中。常见的开关管有MOS管、IGBT管等。...

2023-12-13 标签:IGBTMOS管万用表开关管电源管理 8

SiC功率器件辐照效应研究进展概述

SiC功率器件辐照效应研究进展概述

随着微电子技术日新月异的发展,作为传统半导体材料的硅(Si)与砷化镓(GaAs)在半导体器件中表现出的电学性能已逐渐接近其理论极限。...

2023-12-13 标签:MOSFETSiC光伏逆变器功率器件新能源汽车 107

使用碳化硅SiC进行双向充电机OBC设计

使用碳化硅SiC进行双向充电机OBC设计

电动汽车车载充电机(On Board Charger,OBC)可以根据功率水平和功能采取多种形式,充电功率从微型电动汽车应用中的2KW,到高端电动汽车中的22KW不等。...

2023-12-13 标签:OBCSiC电动汽车碳化硅车载充电机 164

纳微半导体GeneSiC起源与SiC的未来

纳微半导体GeneSiC起源与SiC的未来

GeneSiC 在满足汽车行业需求的经验还包括开发快速充电站解决方案,这对 EV 的快速普及至关重要。以 SK Signet 最近设计的额定 350kW 快速充电桩为例,它可以将 277VAC 的市电变换为200~950VDC 精准控...

2023-12-13 标签:SiC二极管晶体管电机绕组纳微半导体 25

SiC功率模块中微米级Ag烧结连接技术的进展

SiC功率模块中微米级Ag烧结连接技术的进展

功率密度的提高及器件小型化等因素使热量的及时导出成为保证功率器件性能及可靠性的关键。...

2023-12-13 标签:SBDSiC功率器件功率模块 87

瞻芯电子:碳化硅车载功率转换解决方案

瞻芯电子:碳化硅车载功率转换解决方案

碳化硅(Silicon Carbide)是C元素和Si元素形成的化合物。...

2023-12-13 标签:功率转换器半导体电动汽车碳化硅 114

什么是掉电保护 掉电保护功能怎么实现

什么是掉电保护 掉电保护功能怎么实现

TVS(Transient Voltage Suppressors)二极管,即瞬态电压抑制器,又称雪崩击穿二极管,是采用半导体工艺制成的单个PN结或多个PN结集成的器件。TVS二极管有单向与双向之分,单向TVS二极管一般应用于...

2023-12-12 标签:TVS二极管抑制二极管掉电保护电压抑制器 219

晶体管三种接法的特点

晶体管三种接法的特点  晶体管是一种常见的电子元器件,具有开关和放大功能。根据不同的接法,晶体管的特点也会有所不同。一般来说,晶体管的接法分为共集电极、共射极和共基极三种类...

2023-12-12 标签:晶体管集电极电路 135

MOS管如何实现隔离作用呢?

MOS管如何实现隔离作用呢? MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)作为一种常见的半导体器件,具有重要的隔离功能。隔离作用指的是在电路中,不同部分之间产生电势差,以保证电路的正...

2023-12-12 标签:MOS管半导体 142

碳化硅晶片制备技术与国际产业布局

碳化硅晶片制备技术与国际产业布局

碳化硅晶片薄化技术,碳化硅断裂韧性较低,在薄化过程中易开裂,导致碳化硅晶片的减薄非常困难。碳化硅切片的薄化主要通过磨削与研磨实现。...

2023-12-12 标签:单晶片碳化硅 69

一种具有新信号处理行为的光控二极管研究发布

一种具有新信号处理行为的光控二极管研究发布

据麦姆斯咨询报道,近日,中国科学院金属研究所科研团队发明了一种具有新信号处理行为的光控二极管,相关研究成果在线发表于《国家科学评论》(National Science Review)。...

2023-12-12 标签:二极管光学成像光电探测器集成电路 30

碳化硅的5大优势

碳化硅的5大优势

碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。...

2023-12-12 标签:MOSFETSiC电源转换器碳化硅肖特基二极管 133

关于碳化硅,这些数据你了解吗

关于碳化硅,这些数据你了解吗

在新能源汽车方面的应用主要有主驱逆变器、车载充电器OBC、DC/DC等;在充电基础设施方面的应用主要有快速直流充电、无线充电、工业充电器等;在IT基础设施方面的应用主要有PFC、DC/DC 转换...

2023-12-12 标签:SiC断路器晶圆碳化硅逆变器 32

提升SiC MOS器件性能可靠性的表面优化途径

提升SiC MOS器件性能可靠性的表面优化途径

SiC MOSFET器件存在可靠性问题,成为产业发展瓶颈。...

2023-12-12 标签:MOSFETSiC半导体 148

mos管带载不到十秒钟就冒烟的原因是什么?

mos管带载不到十秒钟就冒烟的原因是什么?

Ton和Toff已经接近图二要求的时间,MOS管24V时带载27欧,输出功率21.3W,输出电压正常,MOS管基本不发热。 总结一:MOS管发热原因小结(此处从网上搜集)...

2023-12-11 标签:NMOS管开关损耗电路设计限流电阻 66

碳化硅的优势和难处

碳化硅的优势和难处

 碳化硅(SiC)具有更低的阻抗和更宽的禁带宽度,使其能够承受更大的电流和电压,同时实现更小尺寸的产品设计和更高的效率。...

2023-12-11 标签:SiC功率器件碳化硅 75

MOSFET和IGBT设计高性能自举式栅极驱动电路设计指南

MOSFET和IGBT设计高性能自举式栅极驱动电路设计指南

驱动电路和以两个输入电压作为摆幅的偏置电路,都与器件的源极轨连。但是,驱动电路和它的浮动偏置可以通过低压电路实现,因为输入电压不会作用到这些电路上。...

2023-12-11 标签:IGBTMOSFET栅极驱动自举电路驱动电路 102

为什么SiC在功率应用中战胜了Si?

为什么SiC在功率应用中战胜了Si?

碳化硅(SiC)是一种由硅(Si)和碳(C)组成的半导体化合物,属于宽带隙(WBG)材料系列。它的物理结合力非常强,使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。...

2023-12-11 标签:IGBTSiC半导体双极晶体管碳化硅 66

基于HVPE的氮化镓单晶衬底设备与工艺技术

基于HVPE的氮化镓单晶衬底设备与工艺技术

第三代半导体,具有宽禁带、高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、良好的化学稳定性等特点,被业内誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的核心基础技术—“...

2023-12-09 标签:GaN功率器件半导体氮化镓 462

npn和pnp有什么区别?npn和pnp三极管的应用

npn和pnp有什么区别?npn和pnp三极管的应用  NP(负-正)-NPN(NPN晶体管)和PN(正-负)-PNP(PNP晶体管)是具有相反电流和电压极性的两种类型的双极结晶体管(BJT)。关键的区别在于半导体层的...

2023-12-09 标签:NPNpnp三极管 325

高导热GaN/金刚石结构制备及器件性能研究

高导热GaN/金刚石结构制备及器件性能研究

近日,第九届国际第三代半导体论坛&第二十届中国国际半导体照明论坛在厦门国际会议中心召开。...

2023-12-09 标签:GaN功率器件半导体 502

GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管

GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管

近日,第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)于厦门召开。期间,“氮化镓功率电子器件技术分论坛”上,台湾元智大学前副校长、台湾成功大学...

2023-12-09 标签:GaNPEC反相器晶体管 688

Si基GaN器件及系统研究与产业前景

Si基GaN器件及系统研究与产业前景

氮化镓具有优异的材料特性,例如宽带隙、高击穿场强和高功率密度等。氮化镓器件在高频率、高效率、高功率等应用中具有广阔的应用前景。...

2023-12-09 标签:GaN充电器气体传感器氮化镓 305

氮化镓外延领军企业晶湛半导体宣布完成C+轮数亿元融资

近日,第三代半导体氮化镓外延领军企业晶湛半导体宣布完成C+轮数亿元融资,这是晶湛公司继2022年完成2轮数亿元融资以来的又一融资进展。...

2023-12-09 标签:半导体新能源汽车氮化镓激光雷达 423

GaN MEMS/NEMS应变调控谐振器研究

GaN MEMS/NEMS应变调控谐振器研究

以GaN为代表的第三代半导体具有高击穿电场,高电子饱和速度,高频和高功率等特性,在射频和电力电子器件领域具有巨大的性能优势。...

2023-12-09 标签:GaN晶体管谐振器 556

增强型功率氮化镓器件结构设计进展

增强型功率氮化镓器件结构设计进展

作为宽带隙材料,GaN具有击穿电压高、热导率大、开关频率高,以及抗辐射能力强等优势。...

2023-12-09 标签:GaN太阳能逆变器氮化镓电动汽车 535

助熔剂法生长GaN单晶衬底的研究进展

GaN性能优异,在光电子、微电子器件应用广泛,发展潜力巨大;进一步发展,需提升材料质量,制备高质量氮化镓同质衬底。...

2023-12-09 标签:GaN激光器紫外激光载流子 528

龙腾半导体MOS管规格书参数解读

龙腾半导体MOS管规格书参数解读

一般来说任何情况下MOSFET工作状态超过以下指标,均可能造成器件的损坏,以龙腾650V 99mΩ器件规格书为例...

2023-12-08 标签:MOSFETMOS管二极管半导体脉冲电流 328

产业链垂直整合如何为SiC功率器件工厂赋能?

由于其宽带隙和优异的材料特性, SiC基功率电子器件现在正成为许多杀手级应用的后起之秀,例如汽车、光伏、快速充电、PFC等。...

2023-12-08 标签:SiC光伏逆变器功率器件电动汽车 345

IGBT单管及IGBT模块的区别在哪?

IGBT最常见的形式其实是模块(Module),而不是单管。...

2023-12-08 标签:IGBTigbt芯片PFC晶体管 264

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